束流密度对Ge/Si量子点溅射生长的影响

杨杰^1,2，王茺²，陶东平¹，杨宇²

1. 昆明理工大学冶金与能源工程学院2. 云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所

摘 要：采用离子束溅射技术在Si基底上自组织生长了一系列Ge量子点样品,研究了束流密度对Ge/Si量子点的尺寸分布和形貌演变的影响。原子力显微镜测试结果表明,随着束流密度的增加,量子点的面密度持续增大,其尺寸不断减小,量子点的形貌由圆顶形转变为过渡圆顶形。计算直径标准偏差的结果表明,当束流密度为0.86mA/cm2时,量子点的尺寸均匀性最佳。束流密度与沉积速率成正比,影响着表面吸附原子与其它原子相遇而形成晶核的能力。

关键词：离子束溅射沉积;Ge/Si量子点;束流密度;原子力显微镜;