硅表面自组织量子点形成机制的第一原理研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：李红 金慧 邓胜华
关键词：Ge/Si自组织量子点; Si(113)表面重构; 第一原理计算; 表面能; 表面应力; Ge/Si self-organized quantum dot; Si(113) surface reconstruction; first-principles calculation; surface energy; surface stress;
摘 要：用第一原理法对Ge/Si (113)表面的重构、表面能和表面应力及其随Ge沉积层数的变化情况进行了计算,分析了Ge/Si (001)自组织量子点DOME形成机制和稳定性.发现构成DOME的Ge/Si(113)表面在压应变条件下是能量非常低的稳定表面.Ge原子在Si(001)表面上自组织生长量子点时,首先形成HUT岛;当生长到相当于约4个(001)层厚时,Ge/Si (113)表面表现为(2×2)-TPI&R重构,并开始形成稳定的DOME岛.
李红1，金慧1，邓胜华1
(1.北京航空航天大学,北京,100191)
摘要:用第一原理法对Ge/Si (113)表面的重构、表面能和表面应力及其随Ge沉积层数的变化情况进行了计算,分析了Ge/Si (001)自组织量子点DOME形成机制和稳定性.发现构成DOME的Ge/Si(113)表面在压应变条件下是能量非常低的稳定表面.Ge原子在Si(001)表面上自组织生长量子点时,首先形成HUT岛;当生长到相当于约4个(001)层厚时,Ge/Si (113)表面表现为(2×2)-TPI&R重构,并开始形成稳定的DOME岛.
关键词:Ge/Si自组织量子点; Si(113)表面重构; 第一原理计算; 表面能; 表面应力; Ge/Si self-organized quantum dot; Si(113) surface reconstruction; first-principles calculation; surface energy; surface stress;
【全文内容正在添加中】
