纳米CeO2抛光液的制备及其抛光性能研究
来源期刊：矿冶工程2011年第1期
论文作者：谢圣中 王柏春 许向阳 王绍斌 翟海军
文章页码：77 - 80
关键词：纳米CeO2;化学机械抛光;硅片;粗糙度;
摘 要：在水体系中采用沉淀法制备了纳米CeO2粉体,并用XRD、SEM、TEM等对其晶体结构、粒度与形貌等进行了表征。将所得粉体配成水基纳米CeO2抛光液,研究了其抛光硅片的性能与机理,并与纳米S iO2抛光液作对比。结果表明,粒度在100 nm以下的CeO2对硅片具有良好的抛光效果,抛光后硅片表面形貌有很大改观,表面划痕被抛掉,在面积172μm×128μm的范围内得到了表面粗糙度Ra为0.689 nm的超光滑表面。
谢圣中1，王柏春2，许向阳1,2，王绍斌1，翟海军1
1. 金瑞新材料科技股份有限公司2. 长沙矿冶研究院
摘 要：在水体系中采用沉淀法制备了纳米CeO2粉体,并用XRD、SEM、TEM等对其晶体结构、粒度与形貌等进行了表征。将所得粉体配成水基纳米CeO2抛光液,研究了其抛光硅片的性能与机理,并与纳米S iO2抛光液作对比。结果表明,粒度在100 nm以下的CeO2对硅片具有良好的抛光效果,抛光后硅片表面形貌有很大改观,表面划痕被抛掉,在面积172μm×128μm的范围内得到了表面粗糙度Ra为0.689 nm的超光滑表面。
关键词：纳米CeO2;化学机械抛光;硅片;粗糙度;
