一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究

张磊^1,2,3，汪海波^1,2,3，张泽芳^1,2，王良咏^1,2，刘卫丽^1,2，宋志棠^1,2

1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室3. 中国科学院研究生院

摘 要：磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素。采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征。结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑。随后复合磨料对比硅溶胶对铜化学机械抛光进行研究,采用原子力显微镜(AFM)观测表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。经过复合磨料抛光后的铜片粗糙度为0.58nm,抛光速率为40nm/min。硅溶胶抛光后的铜片的粗糙度是1.95nm,抛光速率是37nm/min。

关键词：PS/SiO2;复合磨料;铜;化学机械抛光;