磁控溅射ITO薄膜的退火处理
来源期刊：材料科学与工艺2008年第2期
论文作者：陈文彬 蒋亚东 杨刚 杨健君 蒋泉 王军 成建波
关键词：薄膜; 氧化铟锡(ITO); 退火; 直流磁控溅射; 方阻;
摘 要：采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO(Indium tin oxide)薄膜,并在真空中不同温度(100℃～400℃)下退火处理.研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响.XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶,优选晶向为(222).随退火温度升高,方块电阻迅速下降,表面更加平整,薄膜在可见光范围平均透过率提高到85%.
陈文彬1，蒋亚东1，杨刚1，杨健君1，蒋泉1，王军1，成建波1
(1.电子科技大学,光电信息学院,成都,610054)
摘要:采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO(Indium tin oxide)薄膜,并在真空中不同温度(100℃～400℃)下退火处理.研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响.XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶,优选晶向为(222).随退火温度升高,方块电阻迅速下降,表面更加平整,薄膜在可见光范围平均透过率提高到85%.
关键词:薄膜; 氧化铟锡(ITO); 退火; 直流磁控溅射; 方阻;
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