H2气氛退火处理温度对磁控溅射ZnO薄膜光电性能的影响
来源期刊：功能材料2013年第15期
论文作者：马明 高传玉 周明 李保家 李浩华
文章页码：2268 - 4545
关键词：ZnO薄膜;退火温度;透光率;方块电阻;
摘 要：在室温下,采用直流磁控溅射法,以载玻片作为衬底,淀积出ZnO薄膜。在常压H2气氛中,以不同温度对样品进行退火处理。结果表明,在退火温度为500℃时,样品具有最佳综合光电性能,其在360～960nm波长范围内的平均透光率为76.35%,方块电阻为6.3kΩ/□。
马明1，高传玉1，周明2,3，李保家2,3，李浩华2,3
1. 江苏大学机械工程学院2. 江苏大学材料科学与工程学院3. 江苏大学江苏省光子制造科学技术中心重点实验室
摘 要：在室温下,采用直流磁控溅射法,以载玻片作为衬底,淀积出ZnO薄膜。在常压H2气氛中,以不同温度对样品进行退火处理。结果表明,在退火温度为500℃时,样品具有最佳综合光电性能,其在360～960nm波长范围内的平均透光率为76.35%,方块电阻为6.3kΩ/□。
关键词：ZnO薄膜;退火温度;透光率;方块电阻;
