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单靶磁控溅射制备铜铟硒和铜铟锌硒薄膜及其结构、光学性质研究(英文)

来源期刊:无机材料学报2014年第11期

论文作者:王伟君 何俊 张克智 陶加华 孙琳 陈晔 杨平雄 褚君浩

文章页码:1223 - 1227

关键词:磁控溅射;铜铟锌硒;锌掺杂;

摘    要:采用单靶磁控溅射法制备了铜铟硒(CIS)和铜铟锌硒(CIZS)薄膜。XRD表征发现CIZS-300出现了与其它薄膜不同的择优取向,分析认为贫铜的状态和适宜温度可能促使薄膜择优取向从(112)向(220)转化;拉曼光谱在171 cm-1处出现的较强峰,和206 cm-1处出现的较弱峰,分别为A1和B2振动模式,而Zn的掺入导致A1拉曼峰的宽化和蓝移;Zn的掺入使Cu含量改变进而使CIZS禁带宽度增大,这是由于Se的p轨道和Cu的d轨道杂化引起的;SEM测试结果表明CIZS薄膜表面比CIS表面更为紧密、平滑。

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单靶磁控溅射制备铜铟硒和铜铟锌硒薄膜及其结构、光学性质研究(英文)

王伟君,何俊,张克智,陶加华,孙琳,陈晔,杨平雄,褚君浩

华东师范大学电子工程系,极化材料与器件教育部重点实验室

摘 要:采用单靶磁控溅射法制备了铜铟硒(CIS)和铜铟锌硒(CIZS)薄膜。XRD表征发现CIZS-300出现了与其它薄膜不同的择优取向,分析认为贫铜的状态和适宜温度可能促使薄膜择优取向从(112)向(220)转化;拉曼光谱在171 cm-1处出现的较强峰,和206 cm-1处出现的较弱峰,分别为A1和B2振动模式,而Zn的掺入导致A1拉曼峰的宽化和蓝移;Zn的掺入使Cu含量改变进而使CIZS禁带宽度增大,这是由于Se的p轨道和Cu的d轨道杂化引起的;SEM测试结果表明CIZS薄膜表面比CIS表面更为紧密、平滑。

关键词:磁控溅射;铜铟锌硒;锌掺杂;

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