磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究

来源期刊：材料研究学报2015年第1期

论文作者：曹明杰 赵明 庄大明 郭力 欧阳良琦 李晓龙 宋军

文章页码：51 - 54

关键词：无机非金属材料;IGZO薄膜;非晶态半导体;磁控溅射;迁移率;

摘    要：采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜,用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征,研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响。结果表明,制备出的IGZO薄膜均为非晶结构,成分与靶材基本一致,电学性能对溅射电流不敏感,而氧气流量的改变可显著影响薄膜的载流子浓度和Hall迁移率。随着氧气流量的增加,薄膜的载流子浓度先增加后减小,而Hall迁移率随着载流子浓度的提高而增加。透过率随着氧气流量的增大先提高然后稳定在90%以上。