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二氧化钛/多孔硅/硅异质结的表面光电压谱

来源期刊:材料研究学报2000年第5期

论文作者:付贤智 李旦振 刘平

关键词:表面光电压谱; 多孔硅; 二氧化钛; 异质结;

摘    要:首次在多孔硅(PS)的表面镀纳米二氧化钛(TiO2)薄膜,表面光电压谱(SPS)测试表明:镀膜后多孔硅的光电压信号增强约2~3个数量级,其原因可能是双异质结构TiO2/PS/p-Si能有效地吸收近红外一直到紫外光,并且近本征的多孔硅自建电场增大,使光生电子-空穴对能有效地分离;PS/p-Si之间的势垒差产生的阻止少子向电极扩散的背向电场,也能有效地增强光生电压.

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二氧化钛/多孔硅/硅异质结的表面光电压谱

付贤智1,李旦振1,刘平1

(1.福州大学)

摘要:首次在多孔硅(PS)的表面镀纳米二氧化钛(TiO2)薄膜,表面光电压谱(SPS)测试表明:镀膜后多孔硅的光电压信号增强约2~3个数量级,其原因可能是双异质结构TiO2/PS/p-Si能有效地吸收近红外一直到紫外光,并且近本征的多孔硅自建电场增大,使光生电子-空穴对能有效地分离;PS/p-Si之间的势垒差产生的阻止少子向电极扩散的背向电场,也能有效地增强光生电压.

关键词:表面光电压谱; 多孔硅; 二氧化钛; 异质结;

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