表面金属化对多孔硅光特性的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2009年第3期
论文作者：李海波 孙卓 潘丽坤 孙长庆
关键词：多孔硅; 金属化; 晶体场; porous silicon; metallization; crystal field;
摘 要：在室温下使用过滤阴极真空电弧系统在多孔硅表面沉积大约10纳米左右厚度的铜、铝和钛薄膜,并且在真空下800度退火10分钟.多孔硅层是通过电化学腐蚀硅制得.X射线光电子谱、荧光谱,光吸收谱和X射线衍射谱的研究表明退火后,沉积铜和钛的样品出现明显的光吸收红移和硅2p电子能级移动.这是由于在多孔硅表面形成铜和钛的硅化物而引起的晶体场和电子传输变化所造成的.
李海波1，孙卓1，潘丽坤1，孙长庆2
(1.华东师范大学物理系纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海,200062;
2.新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院,新加坡,639798)
摘要:在室温下使用过滤阴极真空电弧系统在多孔硅表面沉积大约10纳米左右厚度的铜、铝和钛薄膜,并且在真空下800度退火10分钟.多孔硅层是通过电化学腐蚀硅制得.X射线光电子谱、荧光谱,光吸收谱和X射线衍射谱的研究表明退火后,沉积铜和钛的样品出现明显的光吸收红移和硅2p电子能级移动.这是由于在多孔硅表面形成铜和钛的硅化物而引起的晶体场和电子传输变化所造成的.
关键词:多孔硅; 金属化; 晶体场; porous silicon; metallization; crystal field;
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