硅表面钝化及对异质结太阳电池特性的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2012年第1期
论文作者：柳琴 刘成 叶晓军 郭群超 李红波 陈鸣波
文章页码：40 - 45
关键词：晶体硅/非晶硅异质结(HIT);太阳电池;表面钝化;少子寿命;
摘 要：研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压。对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75%(Voc=0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF=0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池。
柳琴1,2，刘成1，叶晓军1，郭群超2，李红波2，陈鸣波1,2
1. 上海空间电源研究所2. 上海太阳能工程技术研究中心有限公司
摘 要：研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压。对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75%(Voc=0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF=0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池。
关键词：晶体硅/非晶硅异质结(HIT);太阳电池;表面钝化;少子寿命;
