砷锗镉晶体的定向加工
来源期刊:稀有金属材料与工程2015年第5期
论文作者:李佳伟 朱世富 赵北君 何知宇 陈宝军 黄巍
文章页码:1289 - 1292
关键词:CdGeAs2晶体;定向加工;晶体标准极图;X射线衍射;
摘 要:介绍了一种砷锗镉(CGA)晶体定向加工的新方法,即根据CGA晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射图谱,确定出晶体的c轴方向;并以c轴为基准快速寻找CGA晶体通光面且进行回摆精修的器件加工新方法。运用该方法,针对改进的垂直Bridgman法自发成核生长的CGA晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出CGA晶体SHG倍频器件粗坯,其相位匹配角θm=33.58°、方位角φ=0°,尺寸达5 mm×5 mm×8mm。
李佳伟,朱世富,赵北君,何知宇,陈宝军,黄巍
四川大学
摘 要:介绍了一种砷锗镉(CGA)晶体定向加工的新方法,即根据CGA晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射图谱,确定出晶体的c轴方向;并以c轴为基准快速寻找CGA晶体通光面且进行回摆精修的器件加工新方法。运用该方法,针对改进的垂直Bridgman法自发成核生长的CGA晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出CGA晶体SHG倍频器件粗坯,其相位匹配角θm=33.58°、方位角φ=0°,尺寸达5 mm×5 mm×8mm。
关键词:CdGeAs2晶体;定向加工;晶体标准极图;X射线衍射;