微纳米结构In2O3气敏传感器研究进展
来源期刊:功能材料与器件学报2019年第2期
论文作者:周仕强 卢清杰 陈明鹏 张瑾 柳清菊
文章页码:65 - 76
关键词:三氧化二铟;微纳结构;掺杂;碳材料复合;气敏传感器;
摘 要:近年来,随着生活水平提高,健康生活和安全保护备受社会关注,对有毒易燃易爆气体的检测愈来愈重视,尤其表现在排放检测、消防安全、石油化工和航天航空方面等。金属氧化物半导体气敏传感器由于具有高灵敏度、低成本、稳定性好等优点而被广泛应用于气敏传感领域。三氧化二铟(In2O3)作为一种典型n型宽禁带半导体,因具有透明导电、电阻率低、气敏性能较好等特点成为一种良好的气敏材料。本文综述了近几年来微纳结构In2O3气敏传感器的研究进展,分别对In2O3气敏材料的结构、气敏机理、不同形貌、金属和金属氧化物改性以及碳材料复合等方面进行介绍,分析了In2O3气敏传感器存在问题,并进一步指出In2O3气敏传感器在未来的研究方向。
周仕强,卢清杰,陈明鹏,张瑾,柳清菊
摘 要:近年来,随着生活水平提高,健康生活和安全保护备受社会关注,对有毒易燃易爆气体的检测愈来愈重视,尤其表现在排放检测、消防安全、石油化工和航天航空方面等。金属氧化物半导体气敏传感器由于具有高灵敏度、低成本、稳定性好等优点而被广泛应用于气敏传感领域。三氧化二铟(In2O3)作为一种典型n型宽禁带半导体,因具有透明导电、电阻率低、气敏性能较好等特点成为一种良好的气敏材料。本文综述了近几年来微纳结构In2O3气敏传感器的研究进展,分别对In2O3气敏材料的结构、气敏机理、不同形貌、金属和金属氧化物改性以及碳材料复合等方面进行介绍,分析了In2O3气敏传感器存在问题,并进一步指出In2O3气敏传感器在未来的研究方向。
关键词:三氧化二铟;微纳结构;掺杂;碳材料复合;气敏传感器;