铱薄膜的MOCVD沉积效果研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2010年第2期
论文作者：蔡宏中 胡昌义 陈力 魏燕
关键词：MOCVD; 铱; 薄膜; MOCVD; iridium; film;
摘 要：以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在Mo基体上制备Ir薄膜.研究Ir的沉积效果与沉积温度及反应气体(O_2)间的关系.Ir薄膜的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程,沉积速率与沉积温度绝对温度的倒数呈抛物线关系,当温度为750 ℃时,Ir的沉积速率达到最大值,沉积温度对Ir薄膜的显微形貌有显著影响;O_2的流量对薄膜的成分、形貌及结构等均有显著影响.
蔡宏中1，胡昌义1，陈力1，魏燕1
(1.昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106;
2.云南省贵金属材料重点实验室,云南,昆明,650106)
摘要:以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在Mo基体上制备Ir薄膜.研究Ir的沉积效果与沉积温度及反应气体(O_2)间的关系.Ir薄膜的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程,沉积速率与沉积温度绝对温度的倒数呈抛物线关系,当温度为750 ℃时,Ir的沉积速率达到最大值,沉积温度对Ir薄膜的显微形貌有显著影响;O_2的流量对薄膜的成分、形貌及结构等均有显著影响.
关键词:MOCVD; 铱; 薄膜; MOCVD; iridium; film;
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