Ir薄膜的化学气相沉积制备及SEM研究
来源期刊：有色金属2002年增刊第1期
论文作者：邓德国 万吉高 胡昌义 王云 李靖华 高逸群 尹志民 钱旭
关键词：铱薄膜; 化学气相沉积; SEM;
摘 要：以乙酰丙酮铱为沉积源物质,采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜,研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响.发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式,当T sub低于750℃时,Dr随T sub的上升而直线增加;而当T sub高于750℃时,Dr则随T sub的上升而呈直线降低,Dr值在750℃时达到最大.SEM研究表明,铱薄膜以约0.1μm的颗粒沉积生长,表面形貌与钼基体表面加工痕迹相对应,铱薄膜中的氧含量与沉积过程通入的氧气流量有关.
邓德国1，万吉高1，胡昌义1，王云1，李靖华1，高逸群1，尹志民2，钱旭1
(1.贵研铂业股份有限公司,昆明,650221;
2.中南大学,长沙,410083)
摘要:以乙酰丙酮铱为沉积源物质,采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜,研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响.发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式,当T sub低于750℃时,Dr随T sub的上升而直线增加;而当T sub高于750℃时,Dr则随T sub的上升而呈直线降低,Dr值在750℃时达到最大.SEM研究表明,铱薄膜以约0.1μm的颗粒沉积生长,表面形貌与钼基体表面加工痕迹相对应,铱薄膜中的氧含量与沉积过程通入的氧气流量有关.
关键词:铱薄膜; 化学气相沉积; SEM;
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