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p-Si(100)衬底上反应磁控溅射制备HfO2薄膜的工艺和性能研究

来源期刊:功能材料与器件学报2019年第2期

论文作者:李霞 姚建可 邓伟 肖祥 贺鑫 张盛东

文章页码:99 - 106

关键词:反应磁控溅射;HfO2;薄膜;工艺;性能;

摘    要:我们采用反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了Hf O2薄膜。我们对制备的工艺进行了摸索。设计了不同的实验条件。分别在不同的工艺条件下制备得到Hf O2薄膜。在不同氧分压条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射功率条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射时间条件下制备了一组Hf O2薄膜,不同的衬底温度下制备了一组Hf O2薄膜。最后,将不同条件下制备的Hf O2薄膜在不同温度下退火,并对这些样品进行了性能的测试和表征。根据测试结果分析了其性能,制备的Hf O2薄膜是高质量的。

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p-Si(100)衬底上反应磁控溅射制备HfO2薄膜的工艺和性能研究

李霞1,2,姚建可1,邓伟1,肖祥1,贺鑫1,张盛东1

1. 北京大学深圳研究生院2. 北华航天工业学院

摘 要:我们采用反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了Hf O2薄膜。我们对制备的工艺进行了摸索。设计了不同的实验条件。分别在不同的工艺条件下制备得到Hf O2薄膜。在不同氧分压条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射功率条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射时间条件下制备了一组Hf O2薄膜,不同的衬底温度下制备了一组Hf O2薄膜。最后,将不同条件下制备的Hf O2薄膜在不同温度下退火,并对这些样品进行了性能的测试和表征。根据测试结果分析了其性能,制备的Hf O2薄膜是高质量的。

关键词:反应磁控溅射;HfO2;薄膜;工艺;性能;

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