LEC <111> 磷化镓晶片缺陷的观察
来源期刊：稀有金属1999年第5期
论文作者：陈坚邦 郑安生
关键词：扫描透射电镜(STEM); 扫描电镜(SEM); 磷化镓; 缺陷;
摘 要：使用STEM、SEM观察了磷化镓晶片在切割、研磨等工艺过程中引入的损伤. 切片损伤层深度约30.3 μm, 磨片损伤层深度小于20 μm. 还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑, 认为这是单晶生长时, 磷挥发造成的. 同时离晶体表面100～150 μm范围内有镓凝聚物, 是磷挥发后造成镓过剩并聚集在一起形成的.
摘要：使用STEM、SEM观察了磷化镓晶片在切割、研磨等工艺过程中引入的损伤. 切片损伤层深度约30.3 μm, 磨片损伤层深度小于20 μm. 还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑, 认为这是单晶生长时, 磷挥发造成的. 同时离晶体表面100～150 μm范围内有镓凝聚物, 是磷挥发后造成镓过剩并聚集在一起形成的.
关键词：扫描透射电镜(STEM); 扫描电镜(SEM); 磷化镓; 缺陷;
Abstract:
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