非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究
来源期刊：稀有金属2004年第3期
论文作者：高瑞良 周春锋 赖占平 齐德格
关键词：半导体物理学; 砷沉淀; AB微缺陷; 半绝缘砷化镓单晶片;
摘 要：为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉淀密度,即AB-EPD,同时也保证了晶片的电学参数不受影响.通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释.
摘要：为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉淀密度,即AB-EPD,同时也保证了晶片的电学参数不受影响.通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释.
关键词：半导体物理学; 砷沉淀; AB微缺陷; 半绝缘砷化镓单晶片;
Abstract:
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