TEM观察砷化镓晶片损伤层
来源期刊：稀有金属1998年第5期
论文作者：钱嘉裕 杨钧 陈坚邦
关键词：砷化镓晶片; 损伤层; 透射电镜(TEM); 扫描电镜(SEM);
摘 要：用透射电镜、扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测. 结果切片损伤层深度≤50 μm、双面研磨损伤层深度≤15 μm、机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm. 分析了损伤结构及其引入的因素.
钱嘉裕1，杨钧1，陈坚邦1
(1.北京有色金属研究总院,北京,100088)
摘要:用透射电镜、扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测. 结果切片损伤层深度≤50 μm、双面研磨损伤层深度≤15 μm、机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm. 分析了损伤结构及其引入的因素.
关键词:砷化镓晶片; 损伤层; 透射电镜(TEM); 扫描电镜(SEM);
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