Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究进展
来源期刊：材料导报2011年第17期
论文作者：黄桂娟 孔春阳 秦国平
文章页码：28 - 73
关键词：Zn1-xMgxO薄膜;宽禁带半导体材料;p型掺杂;
摘 要：Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题。
黄桂娟，孔春阳，秦国平
重庆师范大学物理与电子工程学院
摘 要：Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题。
关键词：Zn1-xMgxO薄膜;宽禁带半导体材料;p型掺杂;
