氧化锌薄膜的p型掺杂及其制备方法
来源期刊：兵器材料科学与工程2009年第3期
论文作者：许积文 王华 杨玲 任明放
关键词：ZnO; P型掺杂; 综述; 制备方法;
摘 要：氧化锌(ZnO)是直接宽带隙半导体材料,有高达60 meV的激子束缚能,是下一代短波长光电材料的潜在材料.有效的p型ZnO薄膜掺杂是实现ZnO基光电器件的基础,虽然取得一定的进展,但从性能上来看,远远不及n型ZnO薄膜,而且重复性差.分析难于实现氧化锌p型掺杂的主要原因,综述近年来出现的p型掺杂的新方法、掺杂机制及其有效的实现工艺,指出今后的发展趋势和研究重点.
许积文1，王华1，杨玲1，任明放1
(1.桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004;
2.桂林电子科技大学,广西信息材料重点实验室,广西,桂林,541004)
摘要:氧化锌(ZnO)是直接宽带隙半导体材料,有高达60 meV的激子束缚能,是下一代短波长光电材料的潜在材料.有效的p型ZnO薄膜掺杂是实现ZnO基光电器件的基础,虽然取得一定的进展,但从性能上来看,远远不及n型ZnO薄膜,而且重复性差.分析难于实现氧化锌p型掺杂的主要原因,综述近年来出现的p型掺杂的新方法、掺杂机制及其有效的实现工艺,指出今后的发展趋势和研究重点.
关键词:ZnO; P型掺杂; 综述; 制备方法;
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