透明导电ZnO:In薄膜光电性能的研究进展
来源期刊：材料导报2009年第15期
论文作者：杨小飞 彭丽萍 吴芳 方亮 周科
关键词：宽禁带半导体材料; ZnO:In薄膜; 光学性质; 电学性质;
摘 要：本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.
杨小飞1，彭丽萍1，吴芳1，方亮1，周科1
(1.重庆大学应用物理系,重庆,400044;
2.重庆大学光电技术及系统教育部重点试验室,重庆,400044)
摘要:本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.
关键词:宽禁带半导体材料; ZnO:In薄膜; 光学性质; 电学性质;
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