掺杂浓度对Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响
来源期刊：功能材料2007年第6期
论文作者：阎绍峰 刘斯明 巴德纯 廖国进 闻立时
关键词：三氧化二铝薄膜; 磁控溅射; 掺杂浓度; 光致发光; Ce;
摘 要：应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.
阎绍峰1，刘斯明2，巴德纯3，廖国进3，闻立时4
(1.辽宁工学院,机械工程与自动化学院,辽宁,锦州,121001;
2.北京航空航天大学,机械工程与自动化学院,北京,100083;
3.东北大学,机械工程与自动化学院,辽宁,沈阳,110004;
4.中国科学院金属研究所表面工程部,辽宁,沈阳,110016)
摘要:应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.
关键词:三氧化二铝薄膜; 磁控溅射; 掺杂浓度; 光致发光; Ce;
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