硅衬底Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜的制备及其发光性能
来源期刊：无机材料学报2009年第6期
论文作者：石涛 申乾宏 周箭 杨辉
关键词：溶胶凝胶法; Al_2O_3∶Tb~(3+); 薄膜; 光致发光; sol-gel; Al_2O_3∶Tb~(3+); film; photoluminescence;
摘 要：采用溶胶凝胶法在硅衬底上制备了Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜;并采用DTA-TG、 XRD、 SEM、 AFM及光致发光光谱对其进行了一系列表征;分析了Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜的发光机理, 探讨了热处理温度和Tb~(3+)掺杂浓度对发光性能的影响规律. 研究结果表明, 采用溶胶凝胶法制备工艺, 制备了高发光强度的Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜, 薄膜的最佳激发波长为240nm, Tb~(3+)的最佳掺杂浓度为5mol%(Tb_2O_3/Al_2O_3=5mol%), 在240nm光激发下, 最强的发射峰出现在544nm附近;并且制备的Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜表面致密、平整且无裂纹产生, 表面粗糙度约为1.3nm, 有利于硅基光电子器件的制备和应用.
石涛1，申乾宏1，周箭1，杨辉1
(1.浙江大学,材料科学与工程学系,杭州,310027;
2.浙江林学院,理学院,临安,311300)
摘要:采用溶胶凝胶法在硅衬底上制备了Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜;并采用DTA-TG、 XRD、 SEM、 AFM及光致发光光谱对其进行了一系列表征;分析了Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜的发光机理, 探讨了热处理温度和Tb~(3+)掺杂浓度对发光性能的影响规律. 研究结果表明, 采用溶胶凝胶法制备工艺, 制备了高发光强度的Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜, 薄膜的最佳激发波长为240nm, Tb~(3+)的最佳掺杂浓度为5mol%(Tb_2O_3/Al_2O_3=5mol%), 在240nm光激发下, 最强的发射峰出现在544nm附近;并且制备的Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜表面致密、平整且无裂纹产生, 表面粗糙度约为1.3nm, 有利于硅基光电子器件的制备和应用.
关键词:溶胶凝胶法; Al_2O_3∶Tb~(3+); 薄膜; 光致发光; sol-gel; Al_2O_3∶Tb~(3+); film; photoluminescence;
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