Ge掺杂ZnO薄膜光学特性的研究
来源期刊：材料导报2010年第12期
论文作者：范东华 王相虎
文章页码：17 - 41
关键词：Ge掺杂ZnO薄膜;光致发光;蓝光发射;黄光发射;
摘 要：采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射。通过分析Ge掺入量和退火温度对发光谱的影响,并与相同条件下所沉积的纯ZnO薄膜的发光特性进行比较,结果表明,蓝光发射可能与Ge杂质形成的施主能级有关,弱黄峰可能源于Ge替代Zn空位形成的杂质能级到价带的跃迁复合。
范东华1，王相虎2
1. 五邑大学应用物理与材料学院2. 上海电机学院机械学院
摘 要：采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射。通过分析Ge掺入量和退火温度对发光谱的影响,并与相同条件下所沉积的纯ZnO薄膜的发光特性进行比较,结果表明,蓝光发射可能与Ge杂质形成的施主能级有关,弱黄峰可能源于Ge替代Zn空位形成的杂质能级到价带的跃迁复合。
关键词：Ge掺杂ZnO薄膜;光致发光;蓝光发射;黄光发射;
