PCVD法沉积a-Si:H薄膜初始阶段的计算机模拟
来源期刊：功能材料2001年第5期
论文作者：林揆训 林璇英 姚若河 杨坤进 黄创君
关键词：薄膜成长; 计算机模拟; Monte Carlo方法;
摘 要：利用Monte Carlo模型研究了用PCVD法沉积a-Si:H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系.该模型考虑了两个成长阶段,即成核阶段和晶核成长阶段;3种动力学过程,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程.模拟结果表明,随着衬底温度的升高,团簇的数目和大小都有所增长,且存在-个最佳温度550K,使团簇的数目达到饱和,晶粒为最大,与实验结果基本相符.
林揆训1，林璇英1，姚若河1，杨坤进1，黄创君1
(1.汕头大学物理学系,)
摘要:利用Monte Carlo模型研究了用PCVD法沉积a-Si:H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系.该模型考虑了两个成长阶段,即成核阶段和晶核成长阶段;3种动力学过程,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程.模拟结果表明,随着衬底温度的升高,团簇的数目和大小都有所增长,且存在-个最佳温度550K,使团簇的数目达到饱和,晶粒为最大,与实验结果基本相符.
关键词:薄膜成长; 计算机模拟; Monte Carlo方法;
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