磁控溅射法制备ZrW2O8薄膜及其性能
来源期刊：机械工程材料2007年第8期
论文作者：刘红飞 程晓农 付廷波 严学华
关键词：磁控溅射; ZrW2O8薄膜; 热膨胀系数; 介电性能; 透光率;
摘 要：利用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英基片上沉积了非晶态ZrW2O8薄膜,对不同温度下热处理的薄膜进行了XRD分析;用扫描电镜观察了薄膜的表面形貌,用阻抗分析仪和分光光度计分别研究了薄膜的介电性能和透光性能.结果表明:非晶态薄膜在740℃热处理3 min可以制得具有较好负热膨胀特性的ZrW2O8薄膜,其热膨胀系数为-2.54×10-5 /℃;介电常数和介电损耗均随着频率的增加而减小;在可见光范围内薄膜的透光率达75%.
刘红飞1，程晓农1，付廷波1，严学华1
(1.江苏大学材料科学与工程学院,江苏镇江,212013)
摘要:利用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英基片上沉积了非晶态ZrW2O8薄膜,对不同温度下热处理的薄膜进行了XRD分析;用扫描电镜观察了薄膜的表面形貌,用阻抗分析仪和分光光度计分别研究了薄膜的介电性能和透光性能.结果表明:非晶态薄膜在740℃热处理3 min可以制得具有较好负热膨胀特性的ZrW2O8薄膜,其热膨胀系数为-2.54×10-5 /℃;介电常数和介电损耗均随着频率的增加而减小;在可见光范围内薄膜的透光率达75%.
关键词:磁控溅射; ZrW2O8薄膜; 热膨胀系数; 介电性能; 透光率;
【全文内容正在添加中】
