Mg掺杂InxGa1-xN薄膜的磁控溅射法制备和表征（英文）
来源期刊：稀有金属材料与工程2019年第4期
论文作者：王雪文 吴朝科 高海波 翟春雪 李振杰 张志勇 贺琳
文章页码：1074 - 1078
关键词：InxGa1-xN薄膜;磁控溅射法;Mg掺杂;电学性能;
摘 要：采用磁控溅射法,用In2O3靶、Ga2O3靶、Mg靶在Si片上制备出InxGa1-xN薄膜和Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成,并增加了Ga进入薄膜的机会。通过EDS对Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜的分析表明,有1.4%的Mg组分被成功地掺入InxGa1-xN薄膜。电学性能分析表明In0.84Ga0.16N和Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜导电类型由n型转变为p型,而且Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为2.65×1018 cm-3和3.9 cm2/（V·s）。
王雪文，吴朝科，高海波，翟春雪，李振杰，张志勇，贺琳
西北大学
摘 要：采用磁控溅射法,用In2O3靶、Ga2O3靶、Mg靶在Si片上制备出InxGa1-xN薄膜和Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成,并增加了Ga进入薄膜的机会。通过EDS对Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜的分析表明,有1.4%的Mg组分被成功地掺入InxGa1-xN薄膜。电学性能分析表明In0.84Ga0.16N和Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜导电类型由n型转变为p型,而且Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为2.65×1018 cm-3和3.9 cm2/（V·s）。
关键词：InxGa1-xN薄膜;磁控溅射法;Mg掺杂;电学性能;
