SiC单晶生长
来源期刊：材料科学与工程学报2003年第2期
论文作者：刘喆 徐现刚
关键词：碳化硅; 单晶生长; 宽禁带半导体;
摘 要：本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状.从其结构特点生长方法的选择,生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介绍.
刘喆1，徐现刚1
(1.山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)
摘要:本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状.从其结构特点生长方法的选择,生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介绍.
关键词:碳化硅; 单晶生长; 宽禁带半导体;
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