坩埚石墨化度对SiC单晶生长过程的影响

刘军林¹，乔冠军¹，杨建峰¹，高积强¹，程基宽¹

(1.西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049)

摘要:研究了用改进Lely法制备SiC单晶的过程中坩埚石墨化度对物质传输和晶体生长速度的影响.在不同温度下进行石墨化处理得到了实验所用的坩埚.用XRD方法定量测定了晶体生长前坩埚的石墨化度,并用SEM分析了晶体生长后坩埚内壁的反应情况.实验结果表明,石墨坩埚在SiC晶体生长过程中是一个非常重要的碳源提供者;当坩埚的石墨化程度较低时,晶体的生长速度快,生长速度由生长温度所控制;随着坩埚石墨化程度的提高,晶体生长速度减慢并由坩埚石墨化度所控制;当石墨化度进一步提高的时候,籽晶被碳化,晶体不能正常生长.

关键词:物质传输; 石墨化度; 单晶生长; SiC;

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