β-Ga₂O₃单晶制备工艺的研究进展

陈博利^1,2，杨依帆²，冷国琴²，黄朝晖²，孙峙¹，陶天一¹

1. 中国科学院过程工程研究所2. 中国地质大学(北京)材料科学与工程学院

摘 要：β型氧化镓（β-Ga₂O₃）具有宽禁带、高击穿强度和低制造成本等优点,是制备第三代半导体的优质备选材料。制备β-Ga₂O₃材料的方法有直拉法、导模法、浮区法、布里奇曼法等。由于该材料在高温下易挥发,易产生较多杂质气体、晶体形状难以控制、单晶中产生较多缺陷等问题。对目前β-Ga₂O₃制备方法进行综述,对多种制备方法的工艺、原理以及相关应用进行介绍,并对这些方法及工艺的特点进行对比,分析产品低质量的主要原因并提出解决建议,为未来优化β-Ga₂O₃材料制备工艺的研究提供参考。

关键词：β-Ga₂O₃;宽禁带半导体;单晶生长;制备工艺;