温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：徐现刚 胡小波 李娟 蒋民华 姜守振 李现祥 董捷 韩荣江 王丽 王继扬
关键词：SiC单晶; 温度及温度梯度; 生长速率; 多型; 扩径生长;
摘 要：利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.
徐现刚1，胡小波1，李娟1，蒋民华1，姜守振1，李现祥1，董捷1，韩荣江1，王丽1，王继扬1
(1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)
摘要:利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.
关键词:SiC单晶; 温度及温度梯度; 生长速率; 多型; 扩径生长;
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