双靶共溅射制备Cd_1-xZn_xTe多晶薄膜的性质研究

来源期刊：功能材料2014年第8期

论文作者：汪雪梅 王文武 武莉莉 张立祥 冯良桓 张静全 李卫

文章页码：8139 - 8142

关键词：Cd1-xZnxTe薄膜;磁控溅射;叠层电池;

摘    要：采用双靶共溅射法,分别在不同衬底温度、沉积压强和溅射功率下制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜样品,并采用X射线衍射仪、X射线荧光光谱仪、扫描电子显微镜等方法对制备的Cd1-xZnxTe薄膜的结构、成分、形貌和光电学性质进行测试分析。结果表明,300℃衬底温度下制备的Cd1-xZnxTe薄膜成分单一,立方相结构,生长致密,表面颗粒平均大小约50nm,Cd1-xZnxTe薄膜在（111）晶面的2θ值及晶格常数与Zn组分呈线性关系。Cd1-xZnxTe薄膜的禁带宽度与组分x值呈线性关系。随着气压从8Pa降低至1Pa,Cd1-xZnxTe薄膜的晶粒尺寸增加,生长更加致密。Cd1-xZnxTe薄膜的室温电导率约为8.61×10-11（Ω·cm）-1,呈弱P型。