Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算
来源期刊：功能材料2000年第5期
论文作者：王坚红 胡华安 何华辉 段志云
关键词：DV-Xα方法; YIG磁光薄膜; 磁光效应;
摘 要：采用DV-Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce-YIG磁光薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁.对Ce3+的掺入,极大地增大了跃迁的振子强度;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋一轨道相互作用的耦合轨道;Ce3+的掺入产生了新的跃迁,它们是Ce-YIG的磁光效应增大的原因.
王坚红1，胡华安1，何华辉2，段志云1
(1.军事经济学院,湖北,武汉,430035;
2.华中理工大学,湖北,武汉,430074)
摘要:采用DV-Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce-YIG磁光薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁.对Ce3+的掺入,极大地增大了跃迁的振子强度;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋一轨道相互作用的耦合轨道;Ce3+的掺入产生了新的跃迁,它们是Ce-YIG的磁光效应增大的原因.
关键词:DV-Xα方法; YIG磁光薄膜; 磁光效应;
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