一种半导体封装用键合金丝的研制
来源期刊：贵金属2010年第1期
论文作者：吴永瑾 刀萍 杨国祥 管伟明 郭迎春 孔建稳
关键词：金属材料; 键合金丝; 连铸; 熔断电流; 热影响区; metallic materials; gold bonding wire; continuous casting; fusing current; heat affected zone;
摘 要：在开发了1种微合金配方的基础上,重点研究了真空熔炼连铸工艺,研制出1种适用于半导体分立器件和集成电路封装的高强度低弧键合金丝.结果表明:1)微合金元素得到有效添加,且分布均匀.2)铸锭组织为粗大柱状晶沿轴向分布.3)机械性能均匀稳定,Φ19 μm:断裂负荷≥5 cN,延伸率2%～6%;Φ15 μm:断裂负荷≥3 cN,延伸率2%～6%.4)与国内外相同规格键合金丝相比,具有更高的强度和更大的熔断电流.
吴永瑾1，刀萍1，杨国祥1，管伟明1，郭迎春1，孔建稳1
(1.贵研铂业股份有限公司,昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106)
摘要:在开发了1种微合金配方的基础上,重点研究了真空熔炼连铸工艺,研制出1种适用于半导体分立器件和集成电路封装的高强度低弧键合金丝.结果表明:1)微合金元素得到有效添加,且分布均匀.2)铸锭组织为粗大柱状晶沿轴向分布.3)机械性能均匀稳定,Φ19 μm:断裂负荷≥5 cN,延伸率2%～6%;Φ15 μm:断裂负荷≥3 cN,延伸率2%～6%.4)与国内外相同规格键合金丝相比,具有更高的强度和更大的熔断电流.
关键词:金属材料; 键合金丝; 连铸; 熔断电流; 热影响区; metallic materials; gold bonding wire; continuous casting; fusing current; heat affected zone;
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