反应溅射氧分压对In₂O₃薄膜光电转换性能的影响

杨鑫^1,2，练晓娟^1,2，刘尚军¹，田晶¹，陈金伟¹，王瑞林¹

1. 四川大学材料科学与工程学院2. 重庆文理学院重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室

摘 要：用直流磁控溅射在不同溅射功率下制备不同厚度的In2O3薄膜。通过XRD分析薄膜结构,用紫外可见光谱分析薄膜的光吸收能力,并推导薄膜的光学带隙。结果表明,室温反应溅射条件下,直接溅射得到的薄膜都是非晶薄膜,且吸光度随制备氧分压的增大而减小,相同功率下,薄膜厚度随氧分压增大而减小,光吸收起始位置也随之蓝移。相同偏压下,薄膜的单色光转换效率(IPCE)随氧分压增大先减小后增大。在0.5 mol/L Na2SO4溶液中,0.26 Pa氧分压得到的样品IPCE为14.8%(λ=400 nm)。在1.0 V Ag/AgCl偏压下,0.26 Pa氧分压样品光电流为28μA/cm2。

关键词：In2O3薄膜;反应溅射;IPCE;光电流;氧分压;