中频磁控反应溅射制备c轴择优取向AlN薄膜
来源期刊：功能材料2010年第S3期
论文作者：汪振中 褚夫同 刘兴钊
文章页码：449 - 451
关键词：AlN;中频反应溅射;Raman光谱;
摘 要：通过中频磁控反应溅射,在Si（100）衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征。实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜。结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长。在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,（002）摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2（high）声子峰的FWHM为13.8cm-1。
汪振中，褚夫同，刘兴钊
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
摘 要：通过中频磁控反应溅射,在Si（100）衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征。实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜。结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长。在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,（002）摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2（high）声子峰的FWHM为13.8cm-1。
关键词：AlN;中频反应溅射;Raman光谱;
