氧分压对掺钼氧化铟透明导电薄膜光电性能的影响

来源期刊：功能材料与器件学报2011年第1期

论文作者：袁果 黎建明 张树玉 刘伟 闫兰琴

文章页码：46 - 50

关键词：掺钼氧化铟薄膜;氧分压;电学性能;光学性能;

摘    要：采用射频磁控反应溅射法在k9玻璃衬底上制备了In2O3:Mo(IMO)透明导电薄膜,分析了不同氧分压条件下IMO薄膜的晶体结构、化学成分及光电性能。结果表明:不同氧分压下制备的IMO薄膜具有不同晶粒的取向性;随着氧分压的增加,薄膜的载流子浓度、载流子迁移率先增加后减小;薄膜的电阻率呈现先增加再减少然后再增加的趋势。在可见及近红外区,有氧气氛下制备的IMO薄膜的平均透过率大于80%以上,并随氧分压的升高而增大。