沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第4期
论文作者：杨映虎 王印月 龚恒翔 阎志军
关键词：ZnO薄膜; RF反应溅射; 择优取向;
摘 要：采用RF反应溅射法在Si(111)、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜.用XRD分析了沉积条件(衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类)对样品结构的影响.发现(1)薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强,超过400℃后薄膜质量开始变差;(2)工作气体中氧与氩气压比(PO2/PAr)为2:3时,薄膜取向性最好;(3)薄膜晶粒尺寸11～34nm,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品(002)衍射峰强度减弱,半高宽无明显变化.
杨映虎1，王印月1，龚恒翔1，阎志军1
(1.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)
摘要:采用RF反应溅射法在Si(111)、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜.用XRD分析了沉积条件(衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类)对样品结构的影响.发现(1)薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强,超过400℃后薄膜质量开始变差;(2)工作气体中氧与氩气压比(PO2/PAr)为2:3时,薄膜取向性最好;(3)薄膜晶粒尺寸11～34nm,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品(002)衍射峰强度减弱,半高宽无明显变化.
关键词:ZnO薄膜; RF反应溅射; 择优取向;
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