溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响
来源期刊：功能材料2012年第10期
论文作者：叶小松 王茺 关中杰 靳映霞 李亮 杨宇
文章页码：1230 - 1234
关键词：磁控溅射;Ge/Si纳米点;表面形貌;热化;
摘 要：利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
叶小松，王茺，关中杰，靳映霞，李亮，杨宇
云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所
摘 要：利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
关键词：磁控溅射;Ge/Si纳米点;表面形貌;热化;
