Mg₂Si薄膜的磁控溅射制备及表征

余志强^1,2，谢泉²，肖清泉²

1. 湖北民族学院电气工程系2. 贵州大学新型光电子材料与技术研究所

摘 要：采用直流磁控溅射的方法在Si(100)衬底上制备了Mg2Si外延半导体薄膜。通过XRD和FESEM对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,分析了溅射功率对Mg2Si薄膜制备的影响,得到了Mg2Si薄膜在不同溅射功率下的外延生长特性。结果表明,在Si(100)衬底上,Mg2Si薄膜具有(220)的择优生长特性,并且在50~80W的溅射功率范围内,随着溅射功率的增加,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度逐渐增强。

关键词：磁控溅射;Mg2Si;溅射功率;择优取向;