溅射功率对磁控溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜性能的影响
来源期刊：功能材料2015年第8期
论文作者：高立华 郑玉婴
文章页码：8028 - 8030
关键词：ZAO薄膜;溅射功率;方块电阻;透过率;
摘 要：采用射频磁控溅射工艺,以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材,衬底温度控制在室温,在玻璃基底上制备了透明导电Zn O∶Al（ZAO）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见光谱仪和范德堡法,系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响。结果表明,不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大,而对薄膜结晶和电学性能影响较大。XRD表明薄膜为良好的c轴择优取向;可见光区（400600 nm）平均透过率达到85%以上;在120W下沉积的薄膜电学性能达到了最佳。
高立华，郑玉婴
福州大学材料科学与工程学院
摘 要：采用射频磁控溅射工艺,以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材,衬底温度控制在室温,在玻璃基底上制备了透明导电Zn O∶Al（ZAO）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见光谱仪和范德堡法,系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响。结果表明,不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大,而对薄膜结晶和电学性能影响较大。XRD表明薄膜为良好的c轴择优取向;可见光区（400600 nm）平均透过率达到85%以上;在120W下沉积的薄膜电学性能达到了最佳。
关键词：ZAO薄膜;溅射功率;方块电阻;透过率;
