Cu及CuZn合金等通道转角挤压层错能对晶粒细化的影响
来源期刊：世界有色金属2016年第1期
论文作者：文浩
文章页码：42 - 43
关键词：铜及黄铜合金;等通道转角挤压;层错能;晶粒细化;
摘 要：在室温下,对纯铜T2及黄铜H90（Cu-10wt.%Zn）两种中低层错能材料进行A路径最高8道次等通道转角挤压（equal channel angular pressing,ECAP）试验,其层错能分别为78m J/m2、35m J/m2,采用金相显微技术和透射电子显微技术在不同尺度上研究了ECAP变形后的显微组织。实验结果表明,随着层错能的降低,材料的晶粒更容易得到细化,且均匀程度更高。8道次变形后H90观察到了变形孪晶,T2、H90的平均晶粒尺寸分别为308nm和210nm。
文浩
广东省肇庆市质量计量监督检测所
摘 要：在室温下,对纯铜T2及黄铜H90（Cu-10wt.%Zn）两种中低层错能材料进行A路径最高8道次等通道转角挤压（equal channel angular pressing,ECAP）试验,其层错能分别为78m J/m2、35m J/m2,采用金相显微技术和透射电子显微技术在不同尺度上研究了ECAP变形后的显微组织。实验结果表明,随着层错能的降低,材料的晶粒更容易得到细化,且均匀程度更高。8道次变形后H90观察到了变形孪晶,T2、H90的平均晶粒尺寸分别为308nm和210nm。
关键词：铜及黄铜合金;等通道转角挤压;层错能;晶粒细化;
