氧化对反应烧结碳化硅陶瓷断裂强度的影响
来源期刊：兵器材料科学与工程2000年第1期
论文作者：金志浩 吕振林 高积强 黄清伟
关键词：反应烧结碳化硅; 高温氧化; 断裂强度;
摘 要：研究了在1300℃空气中的高温氧化对反应烧结碳化硅陶瓷室温断裂强度的影响.结果表明:反应烧结碳化硅陶瓷的室温断裂强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化22.5h时,材料的室温断裂强度最高,达334MPa.研究认为,试样表面非晶态SiO2的晶化以及氧化膜起裂是造成材料室温断裂强度变化的原因.
金志浩1，吕振林1，高积强1，黄清伟1
(1.西安交通大学材料科学与工程学院)
摘要:研究了在1300℃空气中的高温氧化对反应烧结碳化硅陶瓷室温断裂强度的影响.结果表明:反应烧结碳化硅陶瓷的室温断裂强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化22.5h时,材料的室温断裂强度最高,达334MPa.研究认为,试样表面非晶态SiO2的晶化以及氧化膜起裂是造成材料室温断裂强度变化的原因.
关键词:反应烧结碳化硅; 高温氧化; 断裂强度;
【全文内容正在添加中】
