反应烧结碳化硅陶瓷的高温氧化行为研究
来源期刊:稀有金属材料与工程2000年第1期
论文作者:金志浩 高积强 黄清伟
关键词:碳化硅; 反应烧结; 高温氧化;
摘 要:研究了反应烧结碳化硅陶瓷在1 300℃空气中的高温氧化行为,结果表明:高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态SiO2晶化以及氧化膜起裂,使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律.
金志浩1,高积强1,黄清伟1
(1.西安交通大学,西安,710049)
摘要:研究了反应烧结碳化硅陶瓷在1 300℃空气中的高温氧化行为,结果表明:高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态SiO2晶化以及氧化膜起裂,使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律.
关键词:碳化硅; 反应烧结; 高温氧化;
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