碳化硅陶瓷的放电等离子烧结

来源期刊：工程科学学报2008年第12期

论文作者：张勇 何新波 曲选辉 王玉会

文章页码：1414 - 1417

关键词：碳化硅陶瓷;放电等离子烧结;致密度;力学性能;

摘    要：采用添加了Al2O3和Y2O3助烧剂的碳化硅微粉为原料,通过放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了碳化硅陶瓷.分析了材料致密化过程,并重点研究了烧结工艺参数对材料致密度和力学性能的影响规律.结果表明,当SPS工艺参数的烧结温度和压力分别为1600℃和50MPa时,经过5min的烧结,碳化硅陶瓷的致密度可达到99.1%,硬度为HV2550,断裂韧性达8.34MPa.m1/2,弯曲强度达684MPa.