烧结温度对碳化硅陶瓷力学性能的影响
来源期刊：粉末冶金技术2010年第1期
论文作者：乔发鹏 吴澜尔 江涌
关键词：碳化硅陶瓷; 烧结温度; 显微结构; 力学性能; silicon carbide ceramics; sintering temperature; microstructure; mechanical property;
摘 要：采用硼、碳助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷.针对烧结温度与碳化硅烧结体密度、抗弯强度以及硬度之间的关系进行了试验研究,并对不同温度下制备的烧结体进行了显微结构形貌观察和XRD图谱分析.结果表明,烧结温度在2190～2220℃范围内可以制备密度高、力学性能好的碳化硅陶瓷.其相对密度超过96%;抗弯强度接近400MPa;维氏硬度23GPa以上.在试验温度范围内,密度与抗弯强度之间的关系近似为线性关系,密度越高抗弯强度和硬度性能越好.
乔发鹏1，吴澜尔1，江涌1
(1.北方民族大学,材料科学与工程学院,银川,750021)
摘要:采用硼、碳助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷.针对烧结温度与碳化硅烧结体密度、抗弯强度以及硬度之间的关系进行了试验研究,并对不同温度下制备的烧结体进行了显微结构形貌观察和XRD图谱分析.结果表明,烧结温度在2190～2220℃范围内可以制备密度高、力学性能好的碳化硅陶瓷.其相对密度超过96%;抗弯强度接近400MPa;维氏硬度23GPa以上.在试验温度范围内,密度与抗弯强度之间的关系近似为线性关系,密度越高抗弯强度和硬度性能越好.
关键词:碳化硅陶瓷; 烧结温度; 显微结构; 力学性能; silicon carbide ceramics; sintering temperature; microstructure; mechanical property;
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