Cu-Ti合金与H₂O₂直接氧化法制备Cu掺杂TiO₂薄膜

来源期刊：材料工程2016年第1期

论文作者：王先飞 潘冶 吴继礼 李星洲

文章页码：26 - 32

关键词：TiO2;半导体薄膜;光催化;化学合成;

摘    要：以Cu-Ti合金为基体,采用含H₂O₂溶液直接氧化法制备Cu掺杂TiO₂薄膜,利用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）和X射线衍射仪（XRD）对薄膜形貌、化学成分和相组成进行分析。结果表明:所制薄膜通过溶解-沉积机理形成,合金表面先沉积Cu掺杂的非晶态TiO₂薄膜,经空气中450℃热处理1h获得Cu掺杂的锐钛矿型晶态TiO₂薄膜。含H₂O₂溶液中需加入一定量聚碳酸酯或聚乙烯乙酸酯,以促进非晶态TiO₂在合金表面的沉积。所制薄膜对罗丹明B具有优异的光催化降解作用,在12W紫外光下照射4h后,Cu₃₀Ti₇₀合金表面形成的薄膜对罗丹明B溶液（20mg/L）的降解率达到31.7%。