非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究
来源期刊:材料导报2014年第22期
论文作者:董恒平 陈坤基 李伟 孙正凤 黄敏 段欢 曹燕 王友凤
文章页码:24 - 27
关键词:非晶氮氧化硅薄膜;可调光致发光;缺陷态;
摘 要:利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在室温下制备出非晶氮氧化硅(a-SiNxOy)薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。
董恒平1,陈坤基2,李伟2,孙正凤1,黄敏1,段欢1,曹燕1,王友凤1
1. 南京理工大学泰州科技学院2. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室
摘 要:利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在室温下制备出非晶氮氧化硅(a-SiNxOy)薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。
关键词:非晶氮氧化硅薄膜;可调光致发光;缺陷态;