ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化陶瓷膜层形成过程研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第3期
论文作者：王晓军 王力杰 吕凯 刘向东 韩春霞
关键词：ZAlSi12Cu2Mg1; 微弧氧化; 陶瓷膜层;
摘 要：通过控制微弧氧化时间,研究了ZAlSi12Cu2Mg1在不同氧化时间下膜层的生长过程,分析了氧化过程中正向电流密度、膜层厚度的变化.结果表明:微弧氧化阶段又分为氧化过渡阶段和氧化烧结阶段.氧化过渡阶段陶瓷层以向外生长为主;生成Al2O3非晶氧化物;氧化烧结阶段膜层以向内生长为主,此阶段膜层生长速率最快,生成Al2O3晶体和莫来石.氧化烧结阶段对陶瓷膜层的形成起重要作用,对氧化烧结阶段的控制可直接影响膜层的厚度以及膜层中Al2O3晶体含量.
王晓军1，王力杰2，吕凯1，刘向东1，韩春霞1
(1.内蒙古工业大学,内蒙古,呼和浩特,010051;
2.中国兵器工业集团第五二研究所,内蒙古,包头,014034)
摘要:通过控制微弧氧化时间,研究了ZAlSi12Cu2Mg1在不同氧化时间下膜层的生长过程,分析了氧化过程中正向电流密度、膜层厚度的变化.结果表明:微弧氧化阶段又分为氧化过渡阶段和氧化烧结阶段.氧化过渡阶段陶瓷层以向外生长为主;生成Al2O3非晶氧化物;氧化烧结阶段膜层以向内生长为主,此阶段膜层生长速率最快,生成Al2O3晶体和莫来石.氧化烧结阶段对陶瓷膜层的形成起重要作用,对氧化烧结阶段的控制可直接影响膜层的厚度以及膜层中Al2O3晶体含量.
关键词:ZAlSi12Cu2Mg1; 微弧氧化; 陶瓷膜层;
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